自   述
                                       沈 德 忠

  我的童年是在贫困中度过的。一家七口，全靠当筑路工人的父亲养活。小学上到三年级，换了四所学校。解放前两年，因实在缴不起每学期八斗米的学费，只好失学在家。直到1949年冬贵阳解放，人民政府免了我的学费，才于1950年春得以继续上学。当时家境仍很困难。别家孩子能够享受的乐趣，在我家仍属奢侈。例如玩具，父母就从来没有给我们买过，看到别的孩子玩玩具，自己又没有，怎么办？动手做。我记得当时有一种玩具叫做孙悟空翻筋斗，十分有趣。回到家里就找来木板仿照着做。自制的孙悟空居然也能翻几个来回，感到十分满足。有一回看见幻灯机很好玩，也试着做了一次，但不管我怎么摆弄，映在墙上的影像总是电灯泡里的灯丝，而不是画在玻璃片上的图形。由于我把外公的老花镜从镜框上拆下来当幻灯机的镜头，挨了我母亲好一顿揍，但从此我对光学系统有了浓厚的兴趣。
  我对绘画也十分喜欢。从小学到中学，一直是美术课的课代表。班里出墙报，都是由我画刊头和插图。平时在黑板上、书本上总要画上点什么。有一天晚上我在马路上凑着街灯用粉笔画拿大刀的关云长。一位街道办事处的主任在一旁看了好久，然后问我叫什么名字？住在什么地方？上哪个小学？我都一一作了回答。过了几天，我班班主任告诉我，那个街道办事处为参加市政府举办的声援“抗美援朝”的游行活动，要临摹漫画杂志上的40幅漫画，叫我去帮忙。我去画了一个多星期，40幅漫画顺利完成。办事处十分满意，奖给我30斤大米和一双皮鞋。记得当我穿上铮亮的皮鞋时，真是高兴得合不拢嘴，因为我在那以前还从来没有穿过皮鞋！
  临近高考，我曾一度想报考美术学院。遗憾的是那一年除了贵阳师范学院美术系外，没有其他美术院校到贵阳招生。于是报了理工类，从此以后，画画的时间就不多了。
  大学毕业后，分配到建材部非金属矿研究所工作，这个所原来是从事非金属矿山设计、选矿、采矿研究的，1965年按上级指示精神，将与矿山有关的研究设计人员下放到所属矿区，北京只留下搞水晶、云母、金刚石等人工晶体生长部分。“WG”后又发展了氟化物晶体、非线性晶体、激光晶体、宝石晶体等人工晶体生长及其制品的研究，并更名为人工晶体研究所。
  30多年来，我先后研究了不少晶体的生长及其应用，饱尝了其间的酸甜苦辣。但最使我难忘的，是对用于激光频率转换的非线性光学晶体KTP（磷酸氧钛钾的简称）晶体的研究。
  80年代初，天津大学的姚建铨老师结束了在美国两年的进修回到祖国，准备在北京停留几天后再返回天津。他爱人的同学正好是我的同事，当他从我的这位同事那里了解到我们正在研究非线性光学晶体时，便约我去和他见面。
  姚老师是搞激光器及其应用的。在美进修期间，曾在美国某公司进行激光频率转换的研究。他对我说：“现在美国杜邦公司用水热法研制出一种新的倍频晶体KTP，倍频性能十分优异。”接着姚老师对我说，这种晶体很不容易长大，性能很好，所以十分珍贵，不但价格高昂，一块3毫米×3毫米×5毫米的KTP倍频器，售价2750美元，而且卡得很紧。姚老师准备倾其所有，花2750美元买一块带回国来，美国公司不卖。因为该晶体是由美国军方资助研制的，考虑到KTP有潜在的军事用途，故对中国禁运。这以后不久，姚老师使用的那块KTP晶体被他的老板不小心打碎了。姚老师以为机会来了，便对他的老板说：“您瞧这块KTP已经打碎，不能再用。能不能给我一块碎片？”他的老板说：“不行，碎片也不能带出实验室！”姚老师见到我，就鼓动我生长KTP晶体。在姚老师这种爱国热情的感染下，我们决定生长KTP。
  杜邦公司当时生长KTP晶体是在高压釜内，在3000大气压、800℃的压力和温度下进行的。那时在国内还很难找到在800℃下能耐3000大气压的钢材。要长KTP，只能另想办法。
  在仔细分析KTP的化学组成、晶体结构、晶体生长习性等基本情况后，我们选择了顶部籽晶熔剂法（简称TSS法）来生长KTP。那时我们已用该法成功地长出了质量上乘的铌酸钾晶体。在此基础上，针对KTP晶体的生长特点，对TSS法进行了革新，创造出一套适合KTP晶体生长的新TSS法。不到半年的时间里就长出了可供性能测试的高光学质量的KTP单晶。
  姚老师回到天津后，又到山东大学等单位去宣传KTP的优越性。不久，山东大学也用熔剂法长出了可供性能测试的高质量的KTP晶体。我们和山东大学用的都是熔剂法，不同之处在于，山东大学是将籽晶浸没在熔体中生长，而我们则是只将籽晶与熔体表面接触。因此，山东大学长出的KTP晶体中心包含着籽晶，而我们长出的KTP其籽晶在晶体外边。
  这是世界上第一次用熔剂法长出可用的KTP晶体。这以后，两个单位都建立KTP生产线，批量提供优质KTP倍频器，不但打破了美国对我国的禁运，其KTP产品大量销售到包括美国在内的许多国家，为我国赚取了数百万美元的外汇，而且促进了世界熔剂法生长KTP技术的发展。 
  1988年，美国又发现KTP还具有优良的电光性能，并拟用于研制新一代光波导基片。制造这种基片需要面积大于20毫米×20毫米Z向切割的KTP晶片，而美国使用水热法生长KTP的高压釜直径只有1.5英寸（38毫米），籽晶也在晶体中间，无法长出足以切出所需面积的KTP单晶。由于我们生长KTP的方法独特，最容易长出能切割Z方向KTP大晶片的晶体，于是最先长出KTP单晶并对中国实行禁运的美国，反过来向中国人工晶体研究所每年订购价值十万美元的Z切KTP大晶片。